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    磁控溅射沉积系统(Magnetron Sputtering Deposition System)

     

    设备简介

    该设备为双室多靶磁控溅射镀膜设备,主要用于磁控溅射的方法制备金属膜,半导体膜,陶瓷膜,介质复合膜及多层膜和其它化学反应膜及掺杂膜等。

     

     

     

    主要设备参数(技术指标):

           溅射室极限真空度:≤6.67x10-5 Pa (经烘烤除气后);
           进样室极限真空度:≤6.67x10-4 Pa (经烘烤除气后);
           系统真空检漏漏率:≤5.0x10-7 Pa.l/S;
           系统从大气开始抽气:溅射室40分钟可达到6.6x10-4 Pa;
             ;           进样室40分钟可达到6.6x10-3 Pa;
           系统停泵关机12小时后真空度:≤5 Pa;
         系统主要由溅射真空室、磁控溅射靶、基片水冷加热台、进样室、样品库、退火炉、反溅靶、磁力送样机构、工作气路、抽气系统、安装机台、真空测量及电控系统等部分组成。


        

    等离子体化学气相沉积及磁控溅射系统

    (Plasma enhanced chemical vapor deposition and magnetron sputtering system)

     

     

    设备简介

    本设备为等离子体化学气相沉积与磁控溅射系统连体设备,两个腔体共用一套真空系统。主要用于半导体行业生产所须的Si3N4SiO2薄膜或聚合物薄膜以及碳纳米管等的生长。特点是成膜温度底、速度快、薄膜质量好。由进出片室系统、沉积室(P/N室、I室、热丝室等)、气路控制系统、电控系统、计算机控制系统、尾气处理及安全保护报警系统组成。磁控溅射系统主要用于研究和开发纳米级单层及多层功能膜,如硬质膜、金属膜、半导体膜、介质膜、碳膜、铁磁膜和磁性薄膜等新型薄膜材料。

     

     

    主要设备参数(技术指标):

        系统极限真空度:优于6.67*10-5Pa;
        等离子体化学气相沉积真空室有效尺寸Φ400mm*300mm;
        电极板尺寸Φ100mm(4英寸);
        样品盘尺寸Φ100mm(4英寸);
        加热温度室温~1000℃. 热丝架由4根组成,可拆卸,可加直流大电流,80V,60A. 灯丝表面温度:室温~1600℃;
        磁控溅射系统 真空室为Φ450mm*300mm,电动上盖提升结构。磁控靶尺寸为2英寸,共有三个靶位, 有水冷,靶在下,样品在上,靶与样品距离40-80mm可调;
        样品台基片尺寸为30mm,基片最高加热温度为800℃,由热电偶闭环反馈控制;
        样品可加负偏压(200V),可自转,手动控制样品挡板组件。